- metallorganische Gasphasenepitaxie
- fmetalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE)
Deutsch-Englisches Wörterbuch. 2015.
metallorganische Gasphasenepitaxie
Look at other dictionaries:
Metallorganische Gasphasenepitaxie — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die… … Deutsch Wikipedia
metallorganische Gasphasenepitaxie — garinė metalo ir organinio junginio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metallo organic vapor phase epitaxy vok. metallorganische Gasphasenepitaxie, f rus. эпитаксия металлоорганического соединения из паровой фазы, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metallorganische Gasphasenabscheidung — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung — Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal organic chemical vapour deposition oder metallo organic chemical vapour deposition, MOCVD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der chemischen Gasphasenabscheidung… … Deutsch Wikipedia
Epitaxie — (von griechisch epi „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn… … Deutsch Wikipedia
Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
MOCVD — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
MOVPE — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
OMVPE — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
Omvd — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
